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第二代SiC碳化硅MOSFET在光伏逆变器中的应用

（1）MPPT选择基本半导体SiC碳化硅功率器件方案的逻辑：

   组串式逆变器早期旧方案中的开关管需要用两颗40A/1200V IGBT并联或者75A/1200V IGBT，升压二极管是1200V 60A Si FRD，开关管的开关频率只有16kHz~18kHz

   而新方案选用基本半导体第二代SiC碳化硅MOSFET开关频率为40kHz，且单路MPPT不用并联开关器件，同时大幅度减小了磁性元件的体积和成本，并且SiC MOSFET的壳温低于100℃，提升了系统可靠性。

   系统厂商评估过采用基本半导体第二代SiC碳化硅MOSFET，系统成本可以计算的过来。

（2）选用基本半导体第二代SiC碳化硅MOSFET的原因

    组串式逆变器单路MPPT的有效值为32A，并考虑开关损耗因素，使用B2M035120YP*1（电流能力更大，支持更高功率的光伏电池板接入），或者B2M040120Z*1可以完成任务。工商业主要采用210组件，功率密度还在提升。B2M035120YP*1（电流能力更大，支持更高功率的光伏电池板接入），或者B2M040120Z*1的门极电阻：Rgon=Rgoff=10Ω，驱动电压：-4V/18V.

 （3）光储一体机储能用双向Buck-Boost DC/DC变换器，选用B2M035120YP（电流能力更大）或者B2M040120Z替代IGBT器件，提升Buck-Boost DC/DC变换开关频率到40-60KHz，大幅度减小了磁性元件的体积和成本.