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    伯东公司供应KRI 考夫曼离子源 KDC 75
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    产品: 浏览次数:33372伯东公司供应KRI 考夫曼离子源 KDC 75 
    品牌: KRI
    单价: 面议
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    发货期限: 自买家付款之日起 3 天内发货
    有效期至: 长期有效
    最后更新: 2023-06-06 10:26
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    因产品配置不同,价格货期需要电议,图片仅供参考,一切以实际成交合同为准。

    KRI 考夫曼离子源 KDC 75

    KRI 考夫曼离子源 KDC 75
    上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼离子源 KDC 75:紧凑栅极离子源,离子束直径 14 cm ,可安装在 8“CF法兰. 适用于中小型腔内, 考夫曼离子源 KDC 75 包含2个阴极灯丝, 其中一个作为备用,KDC 75 提供紧密聚焦的电子束特别适合溅射镀膜. 标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 250 mA.
     

    KRI 考夫曼离子源 KDC 75 技术参数

    型号

    KDC 75 / KDC 75L(低电流输出)

    供电

    DC magnetic confinement

     - 阴极灯丝

    2

     - 阳极电压

    0-100V DC

    电子束

    OptiBeam™

     - 栅极

    专用, 自对准

     -栅极直径

    7.5 cm

    中和器

    灯丝

    电源控制

    KSC 1212 或 KSC 1202

    配置

    -

     - 阴极中和器

    Filament, Sidewinder Filament  或LFN 2000

     - 安装

    移动或快速法兰

     - 高度

    7.9'

     - 直径

    5.5'

     - 离子束

    聚焦
    平行
    散设

     -加工材料

    金属
    电介质
    半导体

     -工艺气体

    惰性
    活性
    混合

     -安装距离

    6-24”

     - 自动控制

    控制4种气体

    * 可选: 一个阴极灯丝; 可调角度的支架

    KRI 考夫曼离子源 KDC 75 应用领域
    溅镀和蒸发镀膜 PC
    辅助镀膜(光学镀膜)IBAD
    表面改性, 激活 SM
    离子溅射沉积和多层结构 IBSD
    离子蚀刻 IBE


    客户案例: 超高真空离子刻蚀机 IBE, 真空度 5E-10 torr, 系统配置
    美国 KRI 考夫曼离子源 KDC 75
    考夫曼离子源 KDC 75

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