深圳市华太电子有限公司

高压低功耗同步升压控制芯片HB6803

功能特性简述

高效率>90%

同步N型MOSFET整流

VCC宽输入范围：2.5V至24V

1.5%的输出电压精度

高位电流采样

空载时低静态电流：60uA

内置软启动

开关频率600/900KHz

关断电流<8uA

PWM峰值电流模控制

轻载自动切换Burst模式

逻辑控制使能端

Cycle-By-Cycle峰值电流限制

工作环境温度范围：-40℃～125℃

DFN12LTSSOP14L封装

应用

移动电话

工业供电

通讯硬件

概述

HB6803是一款恒定频率PWM电流模控制，驱动N型功率管的高效同步升压芯片。同步整流提高效率，减小功耗，并且减轻散热要求，所以HB6803可以应用在大功率环境。

2.5V到24V的输入电压支持供电系统和电池的较宽范围应用。根据负载情况的变化自动切换工作模式，在轻载Burst模式下静态电流低至60uA。

HB6803内置峰值电流限制和输出过压保护。在ENB逻辑控制为高时，芯片电流降至8uA以下。