可测参数: Ciss/Coss/Crss/Rg MOS管结电容测试
可测器件: IGBT,二极管,氮化镓、碳化硅 MOSFET 等
测试频率:1MHz
测试电压范围:Vds 0~1200V,Vgs ±25V
信号电压范围:1mV~1000mV
Rg 范围:≤300Ω
测试精度:0.01pf
华科智源栅极电阻/栅极电容测试仪特点:
1,测试速度快。
2,可点测和扫描曲线。
3,测试精度高,测试结果稳定精准。
4,可随时保存数据和波形,可直接生成规格书用的图片或 CSV 描点文件。
产品分类 更多联系方式 更多
站内搜索 |
结电容测试仪
详细信息 可测参数: Ciss/Coss/Crss/Rg MOS管结电容测试 可测器件: IGBT,二极管,氮化镓、碳化硅 MOSFET 等 测试频率:1MHz 测试电压范围:Vds 0~1200V,Vgs ±25V 信号电压范围:1mV~1000mV Rg 范围:≤300Ω 测试精度:0.01pf 华科智源栅极电阻/栅极电容测试仪特点: 1,测试速度快。 2,可点测和扫描曲线。 3,测试精度高,测试结果稳定精准。 4,可随时保存数据和波形,可直接生成规格书用的图片或 CSV 描点文件。 共0条 相关评论 |