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mos管测试仪/设备/厂家
华科智源HUSTEC-1600A-MT静态参数测试仪可用于多种封装形式的 IGBT测试，还可以测量大功率二极管 、IGBT模块，大功率 IGBT、大功
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2024-03-18 |
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功率器件静态参数测试仪/设备
华科智源HUSTEC-1600A-MT静态参数测试仪可用于多种封装形式的 IGBT测试，还可以测量大功率二极管 、IGBT模块，大功率 IGBT、大功
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2024-03-18 |
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结电容测试仪
可测参数：Ciss/Coss/Crss/Rg MOS管结电容测试可测器件：IGBT，二极管，氮化镓、碳化硅MOSFET等测试频率：1MHz测试电压范围：Vds
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2024-03-01 |
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cv曲线测试仪
可测参数：ciss/coss/crss/rg mos管结电容测试测试频率：1mhz信号电压范围：1mv~1000mv测试精度：0.01pf华科智源栅极电阻/栅极电
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2024-03-01 |
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晶体管图示仪
产品介绍产品为桌面放置的台式机结构，由测试主机和程控电脑两大部分组成。各类夹具和适配器，还能够通过 prober 接口、handler
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2024-03-01 |
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10us方波浪涌测试仪
华科智源-二极管浪涌电流是指电源线接通瞬间或是在电路出现异常情况下产生的远大于稳态电流的峰值电流或过载电流。半导体器件在
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2024-03-01 |
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华科智源栅极电阻/电容测试仪
可测参数：Ciss/Coss/Crss/Rg MOS管结电容测试可测器件：IGBT，二极管，氮化镓、碳化硅MOSFET等测试频率：1MHz测试电压范围：Vds
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2024-02-01 |
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华科智源10us浪涌电流测试仪
华科智源-二极管浪涌电流是指电源线接通瞬间或是在电路出现异常情况下产生的远大于稳态电流的峰值电流或过载电流。半导体器件在
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2024-02-01 |
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