抗弯强度:95Mpa 热膨胀系数(25℃-1200℃):1~2(10-6/K)
热导率(常温):35W/mk 最高使用温度:空气900℃、真空1600℃、惰性气氛1800℃
常温电阻率:>1014Ω.cm
产品优势
● 采用国际先进工艺高温氮化硼原料,确保材料纯度及耐高温性能。
● 材料致密度高,抗氧化性能好,导热性好,加工精度高,尤其适用于半导体、微电子等设备配件的用途。
● 具备高耐热性、低热膨胀系数、良好的抗热震性能以及良好的耐腐蚀性。
典型应用
● 应用于半导体行业的扩散源、离子注入设备备件等。
● MOCVD绝缘板,半导体单晶及III-V族化合物合成用的坩埚、基座等。
● 应用于分子束外延,原位合成GaAs 、InP 、GaP单晶的LEC系列坩埚等。
专业服务
● 免费为客户提供样品,为您提供满意的质量和服务。
● 接受试销订单,可以寄送单个样品,并提供大宗订单折扣。
● 设备先进,加工精度高,尺寸规格多,可按照客户要求定制。
● 100%的产品保证,及时跟进客户的反馈意见;海外订单,如果有任何质量问题,请提供照片显示问题通过电子邮件,我们将根据实际情况提供替代品。
我司根据客户要求,提供各种规格氮化硼制品件、精密件(严格按客户图纸或来样加工)。欢迎来电详询! 联系电话:0573-89104988 15721595983(宋经理)