北京杜克泰克科技有限公司

实践证明深紫外光刻工艺深受多种类微量污染物的影响，对很多微量污染物极为敏感，比如氨气或者酸性气体都会给半导体生产带来极大的危害，尽管随着深紫外耐腐蚀材料技术的发展，已经减少了长时间持续实时监测，而实际上空气分子污染（AMC）的实时测量对产品质量的好坏至关重要。

猎户座3100S系列空气分子污染物监测系统基于CEAS（腔增强吸收光谱）技术连续分析仪器，将增加半导体器件阻抗一致性、保证更长的过滤器寿命、减少生产过程的停工时间。

DUKE HMI（人机交互界面）软件可以实时观察、实时测量、实时操作对不同空间不同位置的NH3、HCL、HF进行分析，软件专门针对半导体行业开发，对于深紫外光刻工艺过程中监测与控制空气分子污染（AMC）提供有力的支持，软件集成了多点采样（MS）控制功能，具有实时显示数据曲线、报警、存储、趋势、历史曲线、分析等功能。

增强灵敏度

仪器基于CEAS（腔增强吸收光谱）技术，极简使用、便捷操作，所有部件（包括内置真空泵、键盘、鼠标、显示器等）几分钟内可开始记录数据，其他大气中的水汽、CO2、O2、甲烷等不会对HCL、HF、NH3等测量构成交叉干扰。内置计算机可以存储大量数据到内置硬盘上，可同过数字接口或者模拟接口传输数据，可通过互联网远程存储或记录数据，高质量的数据库，适合于苛刻的半导体痕量级气体应用。

检测限/精度 (1-σ)  : HCl 0.1 ppb

HF 0.1 ppb

NH3 < 0.1 ppb

快速响应时间

每个通道5秒

系统即插即用

系统可在洁净间几分钟内简单操作完成

低成本

因CEAS（腔增强吸收光谱）系统不需要特别的维护保养和备品备件，所以很好的降低了使用者成本。

CEAS（腔增强吸收光谱）---原理

基于CEAS（腔增强吸收光谱）技术的仪器原理图，使用近红外波段光进行高灵敏度吸收测量，测量腔室由一组高反射率多次反射镜片组成的柱状体构成，激光束经过固态校准器（FSR=2.00GHz）时会测量得到相对激光波长。为了保证清晰度，忽略了原本照射到左侧测量单元腔镜外的光束。